TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
20A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
80A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
td(ON) |
130ns |
tr |
70ns |
td(off) |
280ns |
Trr |
1300ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری47 کیلو اهم 10 وات 47K10W 47K
مقاومت کربنی1.2 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
**اولین بار در ایران-جهت استفاده از چهار خروجی ترانس و ترانس های غیر موازی *** ضخامت مس بسیار بالای 52.5 میکرونی -تقویت مسیر بالا و پایین - 4 خروجی ترانس - سه فاز و تکفاز کد AT-315-24D-M کیفیت بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
450 وات -پاور سوئیچینگ 15 ولت 30 آمپر فلزی و صنعتی قابلیت تنظیم ولتاژ خروجی کیفیت بالا