TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
20A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
80A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
|
td(ON) |
130ns |
|
tr |
70ns |
|
td(off) |
280ns |
|
Trr |
1300ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
14A,500V, 0.4 Ohm, N-Channel Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 14 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.4
1200V,150A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 150 آمپردوبل -سمیکرون اریجینال
فن تک فاز بلبرینگی اورجینال نیپا 70*200*200 2400 دور ولتاژ 220 ولت ای سی 0.48 آمپر باد دهی360 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 220VAC,0.48A AIR FLOW 360 RPM:2400 XS200A220CB-B60 AXIAL AC FAN MOTOR
(فن کانادایی مونتاژ چین)دوام بسیار بالا فن بلبرینگی اریجینال پلکو 38*120*120 دور بالا ولتاژ 220 ولت 0.11 آمپر باد دهی بالا 5 پره 2650 دور -محافظت امپدانس - موتور بزرگ بسیار با دوام وبا کیفیت پلکو موتور-پلکوموتور
