TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
20A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
80A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
td(ON) |
130ns |
tr |
70ns |
td(off) |
280ns |
Trr |
1300ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
پی تی سی پر قدرت 100 اهم PTC THERMISTOR FEATURES * High ageing cofficient * PTC SY15P SY 15P101R startup resistor
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 25 در 40 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری 470UF/ 250V HP471W25AT 470UF /250V
4 پایه (2 پایه نگه دارنده) ساخت نیپون بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 35 در 80 سری طول عمر بالا (LXM) استفاده عمده در جوش های اینورتری و UPS nippon 6NH738
97A, 100V, 0.0720 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 97 آمپر فیلیپین RDS(on) = 7.2mΩ