HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V- |
جریان کاری |
17A- |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
12A- |
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
IDM-IDP |
48A- |
PD(TA=25°C) |
3.8W |
PD(TC=25°C) |
45W |
RDS(on) |
0.175Ω |
td(ON) |
13ns |
tr |
55ns |
td(off) |
23ns |
Trr |
47-71ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
E27(EEL-27) پایه های یک در میان( 1 و 3) -(4 و 6 )-(7 و 9) - (10و 12) - ترانس تغذیه 200:12:22:22 ترانس تغذیه 8 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل IGBT اریجینال و با کیفیت بالا
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
ساخت نیچیکون اصل بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 30 در 55 سری طول عمر بالا (CE) استفاده عمده در جوش های اینورتری
سه پایه -دیود الترا فست 600 ولت 60 آمپر 60A,600V TO-3P ,Ultrafast Recovery Diode trr = 27-230nS