SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
94A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
94A |
|
ID(HIGH TEMP) |
66A |
|
IDM-IDP |
380A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
580W |
| RDS(on) |
0.023Ω |
|
td(ON) |
23ns |
|
tr |
160ns |
|
td(off) |
43ns |
|
Trr |
230-340ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
POWER MOSFET 21A, 1000V, 0.500 Ohm ماسفت قدرت 1000 ولت 21 آمپر RDS(on) = 500mΩ advanced power technology
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
واردات PCB از تایوان - کیفیت بالا-تک لایه- فایبرگلاس سبز یا ابی کد AT-POW-24-D-1
چیپ بزرگ - ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر نیپا/ N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P
