1 نانو فاراد 3 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 1nF/3KV
مشخصات:
ویژگی |
مقادیر |
خانواده |
خازن |
تعداد پین |
2 |
ظرفیت خازن |
1nF |
ولتاژ کاری |
3kV |
تلرانس (درصد خطا) |
10 |
پکیج |
- |
نوع مونتاژ |
DIP |
کشور سازنده | چین |
برند |
OTHER |
جنس |
سرامیکی |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
- |
کیفیت |
خوب |
ویژگی خاص |
- |
ا
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P
مقاومت5 % کربنی 1 وات
برد تحریک و درایو IGBT - inverter Board 8 Tubes Single Tube IGBT Single Tube Board
خازن سرامیکی ولتاژبالا 4.7 نانوفاراد 2 کیلو ولت 472/2KV