50A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 50 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
50A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
100A |
IC(HIGH TEMP) |
50A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
428W |
VGE(th) |
4-5-6V |
VCE(sat) |
1.85V |
ICM-IC PULSE |
200A |
IF(25°C) |
50A |
IF(HIGH TEMP) |
30A |
td(ON) |
42ns |
tr |
54ns |
td(off) |
142ns |
Trr |
110ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
MBQ50T65FDSC/50T65FDSC
MBQ50T65FDSC
MBQ50T65FESC
50T65FDSC
MBQ50T65FDSC FESC
MBQ50T65PES
MBQ50T65FESC/50T65FESC
ترانس خروجی(ترانس رکتیفایر) دستگاه ماسفتی EER42X15 22:4 HS بسیار با کیفیت نسبت دور 22:4 14 پین و 180 درجه
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی1.5 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 150 ولت 104 آمپر RDS(on) = 11mΩ