600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-264 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
66A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
260W |
VGE(th) |
4-6-8V |
VCE(sat) |
2.20-2.80V |
ICM-IC PULSE |
132A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
126ns |
tr |
95ns |
td(off) |
530ns |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
20.3x29x5.3mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS
50A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP ای جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت ایفینیون چیپ اتریش مونتاژ چین دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 3 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
مقاومت5 % کربنی 1 وات
1N4756A Zener Diodes 47V 1W دیود زنر47 ولت 1 وات(1000میلی وات)