ماسفت قدرت 500 ولت 25 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P/ Rds=0.27Ω
دریافت دیتا شیت
N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت25 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
silan
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
25A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3.5-4-4.5V |
|
ID(25°C) |
9A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
36A |
|
PD(TA=25°C) |
2.5W |
|
PD(TC=25°C) |
205W |
| RDS(on) |
1.16-1.4Ω |
|
td(ON) |
35-53ns |
|
tr |
30-45ns |
|
td(off) |
110-165ns |
|
Trr |
1.8µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
Silan |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | دیود فست هرزگرد |
برد خام 8 دیودی دستگاه 200 آمپر IGBT -تک ترانس بزرگ - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-200G-8D-i-1
دیود فست 600 ولت 60 آمپر 35 نانو ثانیه 60A,600V TO-247 ,Fast Recovery Epitaxial Diode trr = 35ns
مقاومت کربنی3.3 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت کربنی1.2 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
