دوبل ماسفت P و N کانال 40 ولت 40V Dual P + N-Channel MOSFET SO IC-8 Field Effect Transistor
General Description
The AO4614B uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other applications
استفاده در انواع تجهیزات و دستگاه جوش های اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
SOIC-8 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
6A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
1-2.3-3V |
|
(ID(25°C |
6A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5A |
|
IDM-IDP |
20A |
|
(PD(TA=25°C |
1.28W |
|
(PD(TC=25°C |
2W |
| (RDS(on |
23.2-31mΩ |
|
(td(ON |
4.2ns |
|
tr |
3.3ns |
|
(td(off |
15.6ns |
|
Trr |
20.5ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
AO 4614
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS (V) = 40V, -40V
ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)
RDS(ON)
< 30mW (VGS=10V) < 45mW (VGS= -10V)
< 38mW (VGS=4.5V) < 63mW (VGS= -4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% Rg Tested 100% Rg Tested
برد خام 8 دیودی دستگاه 200 آمپر IGBT -تک ترانس بزرگ - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد کد AT-200G-8D-i-1
HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 15 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 470 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
