دوبل ماسفت P و N کانال 40 ولت 40V Dual P + N-Channel MOSFET SO IC-8 Field Effect Transistor
General Description
The AO4614B uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other applications
استفاده در انواع تجهیزات و دستگاه جوش های اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
SOIC-8 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
6A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
1-2.3-3V |
|
(ID(25°C |
6A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5A |
|
IDM-IDP |
20A |
|
(PD(TA=25°C |
1.28W |
|
(PD(TC=25°C |
2W |
| (RDS(on |
23.2-31mΩ |
|
(td(ON |
4.2ns |
|
tr |
3.3ns |
|
(td(off |
15.6ns |
|
Trr |
20.5ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
AO 4614
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS (V) = 40V, -40V
ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)
RDS(ON)
< 30mW (VGS=10V) < 45mW (VGS= -10V)
< 38mW (VGS=4.5V) < 63mW (VGS= -4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% Rg Tested 100% Rg Tested
600V,30A IGBT,TO-3P ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
خازن MKT ظرفیت15 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 15nF 100V 153j100V
SCR گیت تحریک 600 ولت 12 آمپر SCRs 12 Amp 600 Volt
1200V,200A,infineon,2-Pack 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode ماژول 1200 ولت 200 آمپر دوبل فرکانس بالا و سریع اینفینیون اریجینال
