ماسفت فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
96A |
VCE |
200V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
96A |
VGE |
±30V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
- |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
60ns |
tr |
370ns |
td(off) |
220ns |
Trr |
180ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
60A,300V TO-3P ,Ultrafast Recovery Power Rectifier دیود الترا فست 300 ولت 60 آمپر فیرچایلد المان trr = 55ns کاتد مشترک
مقاومت5 % کربنی 1 وات
P-channel MOSFER -20V, 3.7A SOT-23 ماسفت اس ام دی 20- ولت 3.7 آمپر
ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر / مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / Rds=0.27Ω N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P