09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

K2837/2SK2837 اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

2SK2837
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
83,200 تومان
+20
2.8 %
80,900 تومان
+100
5.4 %
78,700 تومان
+500
8.2 %
76,400 تومان

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن

 

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
 دریافت دیتا شیت

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

ماسفت

سریMOSFET-FET

MOSFET-Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-3P

ولتاژکاری

500V

جریان کاری

20A

نوع کانال

N-CHANNEL

VDS-VDSS

500V

VGS-VGSS

±30V

VGS(th)

2-4V

 ID(25°C)

20A

 ID(HIGH TEMP)

-

IDM-IDP

80A

PD(TA=25°C)

-

PD(TC=25°C)

150W
RDS(on)

0.21-0.27Ω

td(ON)

70ns

tr

30ns

td(off)

290ns

Trr

540ns

MOSFET PACK

1

ابعاد

15.9x20x4.8mm

دمای کاری

150+~55-

برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ژاپن

کیفیت

اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن
نوع مونتاژ DIP     
ویژگی خاص -


مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
 High forward transfer admittance : |Yfs| = 17 S (typ.)
 Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
 Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن