ای سی 4 گیت نند دو وروی با خروجی اپن درین ( Quad 2-input NAND gate (with open drain outputs
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ای سی |
سری |
CMOS |
تعداد پین |
14 |
پکیج |
DIP-14 |
ولتاژکاری |
2-6V |
جریان کاری |
- |
ابعاد |
20.32x7.40x5.06mm |
دمای کاری |
85+~40- |
برند |
- |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
گیتNAND |
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت IR فیلیپین HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB RDS(on) = 44mΩ
مقاومت کربنی1.8 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 33 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
مولتیمتر دیجیتال جیبی-قابلیت اندازه گیری انواع پارامترها از جمله ولتاژ DC و AC -مقاومت-تست دیودی و اتصال کوتاه -جریان -تست باتری و اخطار توان باتری-محافظ بار بیش از حد خروجی-نگه دارنده دیتا و ..