11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power
MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 50mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
200V- |
جریان کاری |
11A- |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
200V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
11A- |
ID(HIGH TEMP) |
7A- |
IDM-IDP |
44A- |
PD(TA=25°C) |
1W |
PD(TC=25°C) |
125W |
RDS(on) |
0.350-0.500Ω |
td(ON) |
18-22ns |
tr |
45-68ns |
td(off) |
75-90ns |
Trr |
300ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 11A, 200V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
دیود پل تک فاز 1000 ولت 4 آمپر / 4Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
اپتوکوپلر 1 کانال 6 پین Optocoupler, Phototransistor Output, with Base Connection اورجینال
ساخت روبیکون بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 30 در70 سری طول عمر بالا (CE) استفاده عمده در جوش های اینورتری RUBYCON
خازن( فیلم)پلی استر 10 نانوفاراد 100 ولت 10NF/100V