ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220F |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
3A |
VCBO |
100V |
VCEO |
80V |
VEBO |
- |
IC |
3A |
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
0.5V |
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
hFE(min) |
- |
hFE(max) |
- |
ptot-PD |
- |
FT |
- |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
150+~65- |
برند |
|
کشور سازنده |
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 512K و رم 64K با فرکانس 72 مگاهرتز High-density performance line Arm®-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 330 کیلو اهم 0805 تلرانس 5 درصد
دیودالترا فست 1000 ولت 1 آمپر / Fast / Ultrafast Diode, 1000 V, 1 A, Single, 1 V, 50 ns, 30 A ,DO-15 trr =50
بسته 60 گرمی-K-5211-TDS- خمیر سیلیکون اورجینال کافوتر اکسید فلز -عملکرد هدایتی بالا با بالای 1.2 و عایق الکتریکی -استفاده در دمای 50- تا 200+ درجه - پایداری بالا