Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT PNP -50V,500mA
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
|
|
تعداد پین |
|
|
پکیج |
|
|
ولتاژکاری |
|
|
جریان کاری |
|
|
VCBO |
|
|
VCEO |
|
|
VEBO |
|
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
|
|
FT |
|
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
IC DRIVER BRIDGE 3-PHASEDIP-28 درایور سه فاز 600 ولت 3 طبقه بالا و 3 طبقه پایین ton/off (typ.) 1.3 &0.6 MICROs
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت IR فیلیپین HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB RDS(on) = 44mΩ
مبدل DAC ، تبدیل سیگنال دیجیتال 8 بیت موازی به سیگنال آنالوگ،ولتاژ کاری 5 تا 15 ولت Digital to Analog Converters - DAC BIT 8
مقاومت5 % کربنی 1 وات
