ترانزیستور NPN ولتاژ 40 ولت 2 00میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 40V,200mA NPN TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
|
تعداد پین |
|
پکیج |
|
ولتاژکاری |
|
جریان کاری |
|
VCBO |
|
VCEO |
|
VEBO |
|
IC |
|
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
hFE(min) |
|
hFE(max) |
|
ptot-PD |
|
FT |
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
چین |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی1.5 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
1N4745A Zener Diodes 16V 1W دیود زنر16 ولت 1 وات(1000میلی وات)
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر سیلان RDS(on) = 0.175