ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-126 |
|
ولتاژکاری |
300V |
|
جریان کاری |
1A |
|
VCBO |
300V |
|
VCEO |
300V |
|
VEBO |
9V |
|
IC |
1A |
|
ICM-ICPULSE |
3A |
|
IB |
0.75A |
|
IBM |
1.5A |
|
VCE(sat) |
1V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
1.2V |
|
hFE(min) |
5 |
|
hFE(max) |
25 |
|
ptot-PD |
40W |
|
FT |
10MHZ |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ON SEMICONDUCTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MJE13002 designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly
suited for 115 and 220V switchmode applications such as
switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor
control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.
FEATURES
*Collector-Emitter Sustaining Voltage:
VCEO (sus)=300V.
*Collector-Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A
*Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @IC=1.0A
مقاومت کربنی 1/4 وات 0.25w Axial resistor - بسته 100 تایی
خازن سرامیکی ولتاژبالا 4.7 نانوفاراد 3 کیلو ولت 472/3KV
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 39 کیلو اهم 0805 تلرانس 5 درصد
