MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 75 ولت 80 آمپر RDS(on) = 9mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt
Capability
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
75V |
|
جریان کاری |
80A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
75V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
80A |
|
ID(HIGH TEMP) |
56A |
|
IDM-IDP |
310A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
NTC ان تی سی 10 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده)قطر 15 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 10 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
مقاومت کربنی150کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,40A,TO-3P,trr=18ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 40 آمپر نیپا -کاتد مشترک -18 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
