Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS 650V,23A MOSFET,TO-220 RDS(on) = 0.18 ماسفت قدرت 650 ولت 23 آمپر
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
650V |
|
VGS-VGSS |
- |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
- |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
0.18Ω |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
CRMICRO |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مولتیمتر اتوماتیک و حرفه ای با امکانات بسیار زیاد-قابلیت اندازه گیری انواع پارامترها از جمله ولتاژ DC و AC -جریان AC و DC -مقاومت-خازن-تست دیودی و اتصال کوتاه -دما -هرتز - hFE-محافظ بار بیش از حد خروجی-نگه دارنده دیتا -خاموش شدن اتوماتیک
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,40A,TO-3P,trr=18ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 40 آمپر نیپا -کاتد مشترک -18 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
