TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
9A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
9A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
27A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
1-1.3Ω |
|
td(ON) |
65ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
120ns |
|
Trr |
1.4µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
• Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
ترانزیستور PNP ولتاژ60 ولت 1.5 آمپر 1.5A 60V, POWER TRANSISTORS PNP SILICON TO-126
رگلاتور 3.3 ولت ثابت 3 آمپر 3.0A, 52kHz, Step-Down Switching Regulator
N-channel MOSFER 30V, 4.9A SO-8 ماسفت اس ام دی 30 ولت 4.9 آمپر
1500ng-kHz دراپ سایز 80ng تا 200ng -دارای ۱۰۲۴ نازل مستقل، رزولوشن Native برابر 400 dpi و ساختار مقاوم با نازل‌پلیت فلزی قابل تعویض-ضریب تعمیر تا ۷۰ درصد- High-performance industrial printhead featuring 1024 nozzles, 400 dpi resolution, 30–80 pL drop sizes
