ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سری |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
9A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
(VGS(th |
2.5-4.5V |
|
(ID(25°C |
9A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5.7A |
|
IDM-IDP |
27A |
|
(PD(TA=25°C |
- |
|
(PD(TC=25°C |
150W |
| (RDS(on |
1-1.28Ω |
|
(td(ON |
21.67ns |
|
tr |
29.73ns |
|
(td(off |
83.73ns |
|
Trr |
715ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
19.5x15.5x4.4mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
سیلان |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
ارجینال سیلان - کیفیت خوب |
| نوع مونتاژ | DIP |
پایه های کنار هم( 1 و 2) -(5 و 6 )-(7 و 8) - (11و 12) - ترانس تغذیه 200:12:22:22 ترانس تغذیه 8 پایه مخصوص دستگاه جوش اینورتری مدل IGBT اریجینال و با کیفیت بالا
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
ایتوپرام 256 کیلو بیت ،32 کیلو بایت با رابط I2C دوسیمه ای سی (EEPROM 256-Kbit (32,768 x 8 اورجینال
دیودالترا فست 1000 ولت 1 آمپر / Fast / Ultrafast Diode, 1000 V, 1 A, Single, 1 V, 50 ns, 30 A ,DO-15 trr =50
