FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان
مشخصات بیشتر :
دریافت دیتا شیت
ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر 960 میلی اهم فیرچایلد
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری
ساخت المان - واردات از دیجی کی اتریش 100 درصد اریجینال مخصوص بازار اروپا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
11A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
11.4A |
|
ID(HIGH TEMP) |
7.2A |
|
IDM-IDP |
45.6A |
|
PD(TA=25°C) |
2.38W |
|
PD(TC=25°C) |
300W |
| RDS(on) |
0.75-0.96Ω |
|
td(ON) |
65-140ns |
|
tr |
135-280ns |
|
td(off) |
165-340ns |
|
Trr |
850ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.60x19.90x4.80mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FAIRCHILD |
|
کشور سازنده |
آلمان |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
FQA11N90 / FQA11N90_F109
N-Channel QFET® MOSFET
900V, 11.4 A, 960 mΩ
ویژگی های بیشتر:
• 11.4 A, 900 V, RDS(on) = 960 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 5.7 A
• Low Gate Charge (Typ. 72 nC)
• Low Crss (Typ. 30 pF)
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
Fairchild Semiconductor Corporation
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance and
high avalanche energy strength. These devices are suitable
for switched mode power supplies, active power factor
correction (PFC), and electronic lamp ballasts
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
SMPS Controller DIP-8 آیسی PWM درایو و اسیلاتور
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت کربنی33 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
