TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
20A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
80A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
|
td(ON) |
130ns |
|
tr |
70ns |
|
td(off) |
280ns |
|
Trr |
1300ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 14 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
N-channel 950 V, 4.2 Ω typ., 2 A Zener-protected , TO-220 ماسفت قدرت 950 ولت 2 آمپر محافظت شده
جایگزین اپ امپ 741،پهنای باند 1 مگاهرتز و ولتاژ کاری 18± ولت،دارای چهار اپ امپ
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, High Speed Switching & Low Power Loss
دیود فست 200 ولت 20 آمپر WXDH چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,20A,TO-3P D9202
