ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
90A |
IC(HIGH TEMP) |
50A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
48ns |
tr |
36ns |
td(off) |
122ns |
Trr |
140ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ای سی تولید موج های سینوسی ،مربعی،مثلثی،رمپ،موج پالس و... با قابلیت مدوله دامنه و فرکانس با قابلیت کار فرکانس از 0.01 هرتز تا 1 مگاهرتز Monolithic Function Generator
خازن مولتی لایر 1 نانو فاراد Multilayer ceramic capacitor 1nF 50V 102
مقاومت کربنی2.7 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 10 کیلو اهم 0805 تلرانس 5 درصد