ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
90A |
IC(HIGH TEMP) |
50A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
48ns |
tr |
36ns |
td(off) |
122ns |
Trr |
140ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Single Supply Dual Operational Amplifiers ,SO-8 تقویت کننده(آمپلی فایر) اس ام دی
ترانزیستور PNP ولتاژ45- ولت 800- میلی آمپر NPN SILICON TRANSISTOR -45V,-800mA DO-92 BC337, BC337-25, BC337-40
دیود سه فاز 1000 ولت 35 آمپر 35Amp 1000V. SILICON/GLASS PASSIVATED THREE PHASE BRIDGE RECTIFIERS
دیود فست 400 ولت 20 آمپر WXDH چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 400V,20A,TO-3P