ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
90A |
|
IC(HIGH TEMP) |
50A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
48ns |
|
tr |
36ns |
|
td(off) |
122ns |
|
Trr |
140ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال اتریش/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 40A, 1200 V,Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop
دیود پل تک فاز 1000 ولت 50 آمپر / 50Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
ای سی حافظه 32 مگابیت ، 4 مگابایت 32Mb DataFlash اورجینال
خازن مولتی لایر 100 نانو فاراد Multilayer ceramic capacitor 100nF 50V 104
