TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,15A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 15 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
15A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
15A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.33-0.4Ω |
|
td(ON) |
90ns |
|
tr |
50ns |
|
td(off) |
175ns |
|
Trr |
1050ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
پلی استر 4.7 میکرو فاراد 250 ولت CBB سری طول عمر بالا
پلی استر 2.2 میکرو فاراد 400 ولت CBB سری طول عمر بالا POLYESTER Capacitor Film 2.2UF 400V 225j400V
فن بلبرینگی دور بالای اریجینال 38*120*120 میلی متر 24VDC,0.35A AIR FLOW XX ولتاژ 24VDC ولت 0.35 آمپر باد دهیXX AXIAL DC FAN MOTOR IMPEDANCE PROTECTED امپدانس محافظت شده
75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
