TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,15A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 15 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
15A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
15A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.33-0.4Ω |
|
td(ON) |
90ns |
|
tr |
50ns |
|
td(off) |
175ns |
|
Trr |
1050ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
مقاومت5 % کربنی 2 وات
رگلاتور 5 ولت ثابت100 میلی آمپر Positive Voltage Regulators , Fixed , Output Voltage : 5V , Output Current : 100mA , Input Voltage : 30V
بسته 1 کیلویی-K-5212-TDS - خمیر سیلیکون اورجینال کافوتر اکسید فلز -عملکرد هدایتی بالا با بالای 2 و عایق الکتریکی -استفاده در دمای 50- تا 200+ درجه - پایداری بالا
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 600V دیود شاتکی 600 ولت 2 آمپر -
