TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,15A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 15 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
15A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
15A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
60A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.33-0.4Ω |
|
td(ON) |
90ns |
|
tr |
50ns |
|
td(off) |
175ns |
|
Trr |
1050ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Switching Regulator Applications
• Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 33 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
سلف(نویز گیر) خروجی دستگاه جوش مدل ماسفتی یا iGBT نسبت 15:15 T184-26 15:15 1.8mm کد T184 چهار پین با کیفیت هسته عالی و صنعتی
ولوم 30000 سیکل 5 پایه(ولوم دستگاه گام) 1 کیلو بسیار با کیفیت و طول عمر بالا رو بردی potentiometer B102 5pin کیفیت بسیار بالا و غیر هرز گرد کاملا صنعتی
(فن کانادایی مونتاژ چین)فن نازک بلبرینگی اریجینال پلکو 25*90*90 دوربالا 24V,0.22A AIR FLOW 67 ولتاژ 24 ولت 0.22 آمپر باد دهی67 محافظت امپدانس BRUSHLESS DC FAN بسیار با دوام وبا کیفیت
ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 40 A Field Stop IGBT
