200V ,31A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ماسفت قدرت 200 ولت 31 آمپر IR فیلیپین
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Benefits
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
31A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30v |
|
(VGS(th |
3-5.5v |
|
(ID(25°C |
31A |
|
(ID(HIGH TEMP |
21A |
|
IDM-IDP |
124A |
|
(PD(TA=25°C |
3.1W |
|
(PD(TC=25°C |
200W |
| (RDS(on |
0.082Ω |
|
(td(ON |
16nS |
|
tr |
38nS |
|
(td(off |
26nS |
|
Trr |
200-300nS |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.40x15.75x4.60mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
فیلیپین |
|
کیفیت |
اورجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first generation
of MESH OVERLAY™. The layout refinements
introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the leading
edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
کاربردها:
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
UPS AND MOTOR CONTROL
دوبل ماسفت P و N کانال 40 ولت 40V Dual P + N-Channel MOSFET SO IC-8 Field Effect Transistor
ای جی بی تی فست 48 آمپر 600 ولتIR اریجینال مکزیک دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا IGBT Trench 600V 48A 454W Through Hole TO-247AD n-channel ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IRGP4063PbF IRGP4063-EPbF
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 10 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
Low-Loss Fast Recovery Diode 300V,60A,TO-3P,trr=42ns ,VF=1.22V / دیود فست 300 ولت 60 آمپر نیپا -کاتد مشترک پکیچ TO-3P
