TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications دریافت دیتا شیت
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
9A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
9A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
27A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
1.2-1.4Ω |
td(ON) |
60ns |
tr |
25ns |
td(off) |
95ns |
Trr |
1.6µs |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ساخت ژاپن- مونتاژ چین |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Schottky Barrier Rectifier, 1A, 40V دیود شاتکی 40 ولت 1 آمپر - سایز 58 میلی متر
ماژول 1200 ولت 75 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,75A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,50A,TO-3P,trr=21ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 50 آمپر نیپا -کاتد مشترک -21 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
دیود عمومی 100 ولت 1 آمپر -1A,100V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier MIC