TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
دریافت دیتا شیت
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
9A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
9A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
27A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
1.2-1.4Ω |
td(ON) |
60ns |
tr |
25ns |
td(off) |
95ns |
Trr |
1.6µs |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ساخت ژاپن- مونتاژ چین |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
تک فاز بلبرینگی دور بالای اریجینال نیپا 50*150*150 3100 دور نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 220VAC,0.25A AIR FLOW 200 RPM:3100 ولتاژ 220 ولت متناوب 0.25 آمپر باد دهی200 AXIAL AC FAN MOTOR
فن بلبرینگی دور بالای اریجینال 38*120*120 سانتی متر 220VAC,0.14A ولتاژ 220VAC ولت 0.14 آمپر 28 وات باد دهی-- IMPEDANCE PROTECTED امپدانس محافظت شده AXIAL FAN 220~240v 50/60 Hz 0.14/0.12A 28W MODULE
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 36 آمپر RDS(on) =44mΩ