K2611/2SK2611 اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

2SK2611

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

تعداد

تخفیف

قیمت

3.0 %

~~122,400 تومان~~ 118,700 تومان

+20

4.2 %

~~120,800 تومان~~ 117,200 تومان

+100

5.5 %

~~119,300 تومان~~ 115,700 تومان

+500

8.5 %

~~115,500 تومان~~ 112,000 تومان

برند: TOSHIBA پکیج: TO-3P وزن: 4.8g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
دریافت دیتا شیت

900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	900V
جریان کاری	9A
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	900V
VGS-VGSS	±30V
VGS(th)	2-4V
ID(25°C)	9A
ID(HIGH TEMP)	-
IDM-IDP	27A
PD(TA=25°C)	-
PD(TC=25°C)	150W
RDS(on)	1.2-1.4Ω
td(ON)	60ns
tr	25ns
td(off)	95ns
Trr	1.6µs
MOSFET PACK	1
ابعاد	15.9x20x4.8mm
دمای کاری	150+~55-
برند	TOSHIBA
کشور سازنده	ساخت ژاپن- مونتاژ چین
کیفیت	ارجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ	DIP

مشخصات بیشتر:

􀁺 Low drain−source ON-resistance : RDS (ON) = 1.2 Ω (typ.)
􀁺 High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
􀁺 Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
􀁺 Enhancement−mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)