TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
دریافت دیتا شیت
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
900V |
جریان کاری |
9A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
900V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
9A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
27A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
1.2-1.4Ω |
td(ON) |
60ns |
tr |
25ns |
td(off) |
95ns |
Trr |
1.6µs |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ساخت ژاپن- مونتاژ چین |
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
مبدلUFL to SMA-F به طول 15 سانتی متر است. در این کابل افزایشی سوکت اتصال ANTEN از نوع مادگی میباشد.
دیود عمومی 1000 ولت 1 آمپر - 1A,1000V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier بهترین کیفیت و اورجینال ساخت تایوان
مقاومت5 % کربنی 3 وات کیفیت بالا و صنعتی
طراحی به طور مشخص برای منابع تغذیه سوئیچینگ و PFC ای جی بی تی(۲۰ آمپر دمای ۲۵ درجه و ۲۰ دمای ۱۰۰ درجه) آمپر 600 ولت IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB