09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
دریافت دیتا شیت
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
9A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
9A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
27A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
1.2-1.4Ω |
|
td(ON) |
60ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
95ns |
|
Trr |
1.6µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ساخت ژاپن- مونتاژ چین |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
مقاومت5 % کربنی 2 وات
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3.3 مگا اهم 1206 تلرانس 5 درصد
BZX55C11 Zener Diodes 11V 500mW دیود زنر11 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ترانس برد تغذیه تک +24 ولت برد های تغذیه تک مدل جدید آترین الکترونیک