ماسفت قدرت 600 ولت 23 آمپر فوجی ژاپن/ N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,600V,23A TO-3P
دریافت دیتا شیت
ماسفت قدرت ساخت ژاپن مونتاژ فیلیپن فوجی
N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,600V,23A TO-3P
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 23 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
23A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
600V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2.5-3-3.5V |
|
ID(25°C) |
23A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
92A |
|
PD(TA=25°C) |
2.5W |
|
PD(TC=25°C) |
315W |
| RDS(on) |
0.2Ω |
|
td(ON) |
24-36ns |
|
tr |
13-19ns |
|
td(off) |
150-225ns |
|
Trr |
0.5µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.5x19.5x4.5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FUJI |
|
کشور سازنده |
فوجی ژاپن |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Pulse Width Modulator Control Circuit,DIP-16 درایور PWM اریجینال 400 کیلوهرتز 8 تا 35 ولت کاری
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
ال ای دی سبز 3 میلی متر
ترانزیستور مفنی PNP ولتاژ200 ولت 2 آمپر Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor 200V,2A TO-220
