ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 40 A Field Stop IGBT
600V, 40 A Field Stop IGBT
VCE=2.7V
ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
SGT40N60FD2PN/P7/PT using Field Stop III IGBT technology, offers the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application.
40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A
Low conduction loss
Fast switching
High input impedance
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
- |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
- |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
Silan |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
سیلان چین -کیفیت خوب |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Electric Welder
Frequency Converter
Photovoltaic Inverter
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
مقاومت5 % کربنی 2 وات
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 2.2 مگا اهم 0805 تلرانس 5 درصد
ترانزیستور NPN ولتاژ 300 ولت500 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 300V,500mA NPN TRANSISTOR