HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220F ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 44mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB
ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 44mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
33A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
33A |
|
ID(HIGH TEMP) |
23A |
|
IDM-IDP |
110A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
130W |
| RDS(on) |
44mΩ |
|
td(ON) |
11ns |
|
tr |
35ns |
|
td(off) |
39ns |
|
Trr |
115-170ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت16.5 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
برد خام 10 دیودی دستگاه 250 آمپر IGBT -تک ترانس بزرگ - قابلیت قرار گیری سلف خروجی - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
دیود عمومی 400 ولت 1 آمپر/ 1A,400V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier/ MIC
تبلت اسیلوسکوپ دیجیتال تک کانال 110 مگاهرتز -باتری 3000mah قابل استفاده تا 10 ساعت -سرعت نمونه برداری500M -صفحه نمایش 2.4 اینچی با کیفیت-اقتصادی و کاربردی
