HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V |
جریان کاری |
75A |
نوع کانال |
p-CHANNEL |
VDS-VDSS |
- |
VGS-VGSS |
- |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
- |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
- |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
- |
RDS(on) |
- |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
- |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
- |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
- |
نوع مونتاژ | DIP |
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / Rds=0.27Ω N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,23A TO-3P
آیسی گیت درایور IGBT و ماسفت اپتوکوپلری خروجی2 آمپر IGBT Gate Drive Power MOS FET Gate Drive,DIP-8
مقاومت5 % کربنی 1 وات
طراحی به طور مشخص برای منابع تغذیه سوئیچینگ و PFC ای جی بی تی(۲۰ آمپر دمای ۲۵ درجه و ۲۰ دمای ۱۰۰ درجه) آمپر 600 ولت IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB