SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247
ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک
RDS(on) = 0.023Ω
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مقاومت درین سورس بسیار پایین
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
94A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
94A |
|
ID(HIGH TEMP) |
66A |
|
IDM-IDP |
380A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
580W |
| RDS(on) |
0.023Ω |
|
td(ON) |
23ns |
|
tr |
160ns |
|
td(off) |
43ns |
|
Trr |
230-340ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.87x20.70x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
High frequency DC-DC converters
Benefits
Applications
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
خازن پلی استر 2.2 نانو فاراد 1000 ولت POLYESTER Capacitor Film 2.2nF 1000V 2200PF 3A222J
INTERSIL CA3140EZ Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 4.5 MHz, 9 V/µs, 4V to 36V, SOP8 SOP-8, 8 Pins آمپلی فایر تک عملیاتی- 4.5 مگاهرتز -کنترلر انواع اینورتر
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری680 اهم 10 وات 680R10W 680R
مقاومت کربنی30 کیلو اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
