HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
35A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
53A |
|
ID(HIGH TEMP) |
37A |
|
IDM-IDP |
180A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
107W |
| RDS(on) |
16.5mΩ |
|
td(ON) |
14ns |
|
tr |
26ns |
|
td(off) |
52ns |
|
Trr |
67-101ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ساخت نیچیکون اصل بسیار با کیفیت ساخت ژاپن 105 درجه سایز 30 در 55 سری طول عمر بالا (CE) استفاده عمده در جوش های اینورتری
کانکتور مخابراتی مربعی سیم دار صاف 3 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میل 250 ولت 3 آمپر
مقاومت کربنی3.3 اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
هیتر تک کاره رومیزی 270 وات با کنترل دمای بین 150 تا 500 درجه سانتیگراد -جریان باد دهی 0.6 تا 1.2 -توان پمپ 45 وات
