HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V |
جریان کاری |
35A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
53A |
ID(HIGH TEMP) |
37A |
IDM-IDP |
180A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
107W |
RDS(on) |
16.5mΩ |
td(ON) |
14ns |
tr |
26ns |
td(off) |
52ns |
Trr |
67-101ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
11A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 200 ولت11 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 50mΩ
N-channel 950 V, 4.2 Ω typ., 2 A Zener-protected , TO-220 ماسفت قدرت 950 ولت 2 آمپر محافظت شده
خازن MKT ظرفیت1.5 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 1.5nF 100V 152j100V
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 270 اهم 1206 تلرانس 5 درصد