FGA6560WDF: IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench ای جی بی تی فست 60 آمپر 650 ولت ON دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
Features | |
---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3PN |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
120A |
IC(HIGH TEMP) |
60A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
306W |
VGE(th) |
4.5-5.3-6.5V |
VCE(sat) |
1.8V |
ICM-IC PULSE |
120A |
IF(25°C) |
60A |
IF(HIGH TEMP) |
30A |
td(ON) |
25.5ns |
tr |
42-55ns |
td(off) |
285-371ns |
Trr |
67.2ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.6x20.6x4.7mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال واردات از Digi-Key اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NTC ان تی سی 16 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده)قطر 15 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 16 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
خازن MKT ظرفیت15 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 15nF 100V 153j100V
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری4.7 کیلو اهم 5 وات 4.7K5W 4.7K
N-CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,75V,130A TO-220 ماسفت قدرت 75 ولت 130 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=0.78 میلی اهم