FGA6560WDF: IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench ای جی بی تی فست 60 آمپر 650 ولت ON دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
| Features | |
|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3PN |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
60A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
120A |
|
IC(HIGH TEMP) |
60A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
306W |
|
VGE(th) |
4.5-5.3-6.5V |
|
VCE(sat) |
1.8V |
|
ICM-IC PULSE |
120A |
|
IF(25°C) |
60A |
|
IF(HIGH TEMP) |
30A |
|
td(ON) |
25.5ns |
|
tr |
42-55ns |
|
td(off) |
285-371ns |
|
Trr |
67.2ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x20.6x4.7mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال واردات از Digi-Key اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
مقاومت کربنی51 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
هویه هوشمند رومیزی 60 وات با کنترل دمای بین 200 تا 480 درجه سانتیگراد -قطر سیم لحیم از 0.6 تا 1.4 میلیمتر-زمان تاخیر قلع کاری 2.7 ثانیه -دارای پدال و جهت قلع کاری طولانی مدت
ترانزیستور PNP ولتاژ60- ولت15- آمپر 15A, -60V, POWER TRANSISTORS PNP SILICON TO-3-
