600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-264 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
66A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
260W |
VGE(th) |
4-6-8V |
VCE(sat) |
2.20-2.80V |
ICM-IC PULSE |
132A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
126ns |
tr |
95ns |
td(off) |
530ns |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
20.3x29x5.3mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
OTHER |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS
ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر IR فیلیپین n-channel 100V , 180A HEXFET Power MOSFET
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 39 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
خازن پلی استر ظرفیت1.5 نانو فاراد 63 ولت Film Capacitors POLYESTER 1.5nF 63V 152j63V
ای جی بی تی فست 60 آمپر 650 ولت WXDH چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 60 A Field Stop IGBT