600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-264 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
66A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
260W |
|
VGE(th) |
4-6-8V |
|
VCE(sat) |
2.20-2.80V |
|
ICM-IC PULSE |
132A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
126ns |
|
tr |
95ns |
|
td(off) |
530ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
20.3x29x5.3mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60 J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10 s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA
Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS
NTC ان تی سی 10 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده)قطر 15 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 10 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
2.2 نانو فاراد عدسی خازن سرامیکی 2.2NF
مقاومت5 % کربنی 1 وات
ماژول دیود فست 400 ولت 300 آمپر (دو عدد دیود 150 آمپری) nippa/300A 400V Ultra-FRD module
