MGY40N60 بزودی

نقد و بررسی اجمالی

600V, 40 A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت موتورولا اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا Motorola

 دریافت دیتا شیت

دریافت  کتابخانه( ALITUM  DESIGNER )

موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS  و انواع اینورتر
 اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها

مشخصات:

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced
termination scheme to provide an enhanced and reliable high
voltage–blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically
suited for applications requiring a guaranteed short circuit
withstand time such as Motor Control Drives. Fast switching
characteristics result in efficient operations at high frequencies.
• Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
• High Speed Eoff: 60
J per Amp typical at 125°C
• High Short Circuit Capability – 10
s minimum
• Robust High Voltage Termination
• Robust RBSOA

Applications
• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS