1000V, 60 A NPT-Trench IGBT ای جی بی تی فست 60 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
1000V, 60 A NPT-Trench IGBT
ای جی بی تی فست 60 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا دریافت دیتا شیت
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
Fairchild Semiconductor Corporation
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-264 |
ولتاژکاری |
1000V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
1000V |
IC(25°C) |
60A |
IC(HIGH TEMP) |
42A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
180W |
VGE(th) |
4-5-7V |
VCE(sat) |
1.5-1.8V |
ICM-IC PULSE |
120A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
15A |
td(ON) |
140ns |
tr |
320ns |
td(off) |
630ns |
Trr |
1.2-1.5us |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
20.20x26.40x5.20mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
FAIRCHILD |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال آلمان واردات از Digi-Key اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
اطلاعات عمومی:
General Description
Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT
technology show outstanding performance in conduction
and switching characteristics as well as enhanced
avalanche ruggedness. These devices are well suited for
Induction Heating ( I-H ) applications
ویژگی ها:
موارد مصرف:
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
ای سی MAC و فیزیکال اترنت ،شبکه با رابط SPI تا سرعت 20 مگاهرتزو رم 8 کیلو بایت و دارای DMA داخلی برای انتقال سرعت بالا اطلاعات Stand-Alone Ethernet Controller with SPI Interface
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 680 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
سنسور حرارتی ترموسوییچ 75 درجه سانتی گراد با بدنه فلزی - ولتاژ کاری 250 ولت - جریان کاری 5 آمپر-نرمال باز( اوپن - تیغه باز) NO - KSD-9700 Series Thermal Protector