1000V, 60 A NPT-Trench IGBT ای جی بی تی فست 60 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
1000V, 60 A NPT-Trench IGBT
ای جی بی تی فست 60 آمپر 1000 ولت فیرچایلد اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دریافت دیتا شیت
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
Fairchild Semiconductor Corporation
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-264 |
ولتاژکاری |
1000V |
جریان کاری |
60A |
VCE |
1000V |
IC(25°C) |
60A |
IC(HIGH TEMP) |
42A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
180W |
VGE(th) |
4-5-7V |
VCE(sat) |
1.5-1.8V |
ICM-IC PULSE |
120A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
15A |
td(ON) |
140ns |
tr |
320ns |
td(off) |
630ns |
Trr |
1.2-1.5us |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
20.20x26.40x5.20mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
FAIRCHILD |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال آلمان واردات از Digi-Key اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
اطلاعات عمومی:
General Description
Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT
technology show outstanding performance in conduction
and switching characteristics as well as enhanced
avalanche ruggedness. These devices are well suited for
Induction Heating ( I-H ) applications
ویژگی ها:
موارد مصرف:
ماسفت قدرت 500 ولت 25 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P/ Rds=0.27Ω
فن بلبرینگی بسیار دور بالای اریجینال نیپا 51*150*170 3900 دور ولتاژ 24 ولت دی سی 1 آمپر باد دهی300 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 24VDC,1A AIR FLOW 300 RPM:3900 XS17024SH-B60
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
Dual-Input USB/AC Adapter 1-Cell Li+ Battery Chargers ایسی باتری شارژر دو ورودی