4.7 نانو فاراد 1 کیلو ولت خازن سرامیکی ولتاژبالا 472nF/1KV 472k1000v
4.7 نانو فاراد 1 کیلو ولت
خازن سرامیکی ولتاژبالا
472nF/1KV
472k1000v
استفاده در انواه دستگاه های جوش و برش و اینورتر ها
مشخصات:
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
خازن |
| تعداد پین |
2 |
| ظرفیت خازن |
4.7nF |
| ولتاژ کاری |
1kV |
| تلرانس (درصد خطا) |
10 |
| پکیج |
- |
| نوع مونتاژ |
DIP |
| کشور سازنده | چین |
| برند |
OTHER |
| جنس |
سرامیکی |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
- |
|
کیفیت |
خوب |
|
ویژگی خاص |
- |
ا
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
خازنی در رده کیفیت متوسط و قابل قبول و معمولی ساخت چین سایز خازن الکترولیت
ای سی انکدر 10 به 4 دیپ 10-to-4 line priority encoder
مقاومت5 % کربنی 1 وات
