600V,27A,IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
600V,27A,IGBT WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
27A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
55A |
|
IC(HIGH TEMP) |
27A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
25A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
25ns |
|
td(off) |
140-230ns |
|
Trr |
50-75ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
ویژگی ها:
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies
available
• IGBT's optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
ترانزیستور NPN ولتاژ400 ولت 8 آمپر 80 وات NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400V,8A,80W TO-220
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت اینفینون/ 650V, 50 A fast and soft antiparallel diode/ پکیج TO-247 دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 1.5 مگا اهم 0805 تلرانس 5 درصد
25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
