600V,27A,IGBT ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
600V,27A,IGBT
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
27A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
49A |
|
IC(HIGH TEMP) |
27A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
160W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.5-1.7V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
26ns |
|
tr |
18ns |
|
td(off) |
240-360ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
بدون دیود هرزگرد |
ویژگی ها:
Features
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• Industry standard TO-247AC package
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
• IGBT's optimized for specified application conditions
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
مقاومت کربنی2.2 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
مقاومت کربنی330کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
SMPS MOSFET 20A, 500V, 0.240 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 20 آمپر فیلیپین RDS(on) = 240mΩ
