ای جی بی تی قدرت 480 ولت 51 آمپر توشیبا ژاپن ISL9V5045S3ST: IGBT, 480V, 51A EcoSPARK® I, N-Channel Ignition IGBT
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
480V,51A TO-263AB
ای جی بی تی قدرت 480 ولت 51 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
480 ولت 51آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
The ISL9V5045S3S and ISL9V5045S3 are next generation
ignition IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the
industry standard D²-Pak (TO-263) plastic package. This
device is intended for use in automotive ignition circuits,
specifically as a coil drivers. Internal diodes provide voltage
clamping without the need for external components.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-263AB |
ولتاژکاری |
480V |
جریان کاری |
51A |
VCE |
480V |
(IC(25°C |
51A |
(IC(HIGH TEMP |
43A |
VGE |
±10V |
Ptot-PD |
300W |
(VGE(th |
1.3-2.2V |
(VCE(sat |
1.25-1.60V |
ICM-IC PULSE |
- |
(IF(25°C |
- |
(IF(HIGH TEMP |
- |
(td(ON |
0.7-4uS |
tr |
2.1-7uS |
(td(off |
10.8-15uS |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
10.66x9.65x4.82mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مقاومت5 % کربنی 1 وات
تبلت اسیلوسکوپ دیجیتال 2 کانال 100 مگاهرتز -سرعت نمونه برداری 1GSa/S -صفحه نمایش 7 اینچی TFT با کیفیت-عمق حافظه 240 کیلوبیت
دیود پل تک فاز 600 ولت 2 آمپر شانه ای/ 2Amp 600V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
ترانزیستور NPN ولتاژ100 ولت 6 آمپر TIP41CTU Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-220, Through Hole