دوبل ماسفت P و N کانال 40 ولت 40V Dual P + N-Channel MOSFET SO IC-8 Field Effect Transistor
General Description
The AO4614B uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other applications
استفاده در انواع تجهیزات و دستگاه جوش های اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
SOIC-8 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
6A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
1-2.3-3V |
|
(ID(25°C |
6A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5A |
|
IDM-IDP |
20A |
|
(PD(TA=25°C |
1.28W |
|
(PD(TC=25°C |
2W |
| (RDS(on |
23.2-31mΩ |
|
(td(ON |
4.2ns |
|
tr |
3.3ns |
|
(td(off |
15.6ns |
|
Trr |
20.5ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
AO 4614
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS (V) = 40V, -40V
ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V)
RDS(ON)
< 30mW (VGS=10V) < 45mW (VGS= -10V)
< 38mW (VGS=4.5V) < 63mW (VGS= -4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% Rg Tested 100% Rg Tested
DISCS THYRISTOR N540CH18L W98624 S1002 C60 تریستور دیسکی زیمنس آلمان
REGULATING PULSE WIDTH MODULATORS آیسی PWM اریجینال ST اس ام دی 100 هرتز تا 500 کیلو هرتز
درایور تریاک اپتوکوپلری 600 ولت 1 کانال 5K ولت ایزوله،اپتو ترایاک 6 پین Random Phase Triac Driver Output Optocoupler 5000Vrms 1 Channel ,DIP-6 (600 Volts Peak)
مقاومت کربنی1.2 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
