600V,41A,IGBT Standard Speed IGBT ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
600V,41A,IGBT Standard Speed IGBT
ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
27A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
70A |
|
IC(HIGH TEMP) |
41A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.28-1.36V |
|
ICM-IC PULSE |
140A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
33ns |
|
tr |
30ns |
|
td(off) |
650ns |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
بدون دیود هرزگرد |
ویژگی ها:
Features
• Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• Industry standard TO-247AC package
• Surface Mountable
مزایا:
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
• IGBT's optimized for specified application conditions
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
HEXFET® Power MOSFET, IRF840N, N CHANNEL POWER MOSFET, 500V, 8A, TO-220AB ماسفت قدرت 500 ولت8 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 75mΩ
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین ساخت چین سایز خازن الکترولیت
مقاومت5 % کربنی 1 وات
