ماسفت فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
96A |
VCE |
200V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
96A |
VGE |
±30V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
- |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
60ns |
tr |
370ns |
td(off) |
220ns |
Trr |
180ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
*خازنی در رده کیفیت بالا ساخت چین سایز 17*10 خازن الکترولیت
ترانزیستور PNP ولتاژ45- ولت 800- میلی آمپر NPN SILICON TRANSISTOR -45V,-800mA DO-92 BC337, BC337-25, BC337-40
ای سی اپ امپ سرعت بالا ، دوبل اپ امپ ، 50 مگاهرتز،ولتاژ کاری 5± تا 15± ولت High Speed, Low Power Dual Op Amp
مقاومت کربنی1.5 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor