ماسفت فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
200V |
جریان کاری |
96A |
VCE |
200V |
IC(25°C) |
- |
IC(HIGH TEMP) |
96A |
VGE |
±30V |
Ptot-PD |
- |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
- |
ICM-IC PULSE |
- |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
- |
td(ON) |
60ns |
tr |
370ns |
td(off) |
220ns |
Trr |
180ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
RENESAS |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
BZX55C3V9 Zener Diodes 3.9V 500mW دیود زنر 3.9 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
4 سیم (PWM - Frequency Generator , ولتاژ و زمین) 38*120*120 6200 دور ولتاژ 12 ولت دی سی 2.7 آمپر باد دهی320 نیپاژاپن(مونتاژ فیلیپین) 12VDC,2.7A AIR FLOW 320 RPM:6200
Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,30A,TO-3P,trr=25ns ,VF=0.95V / دیود فست 200 ولت 30 آمپر نیپا -کاتد مشترک -25 نانو ثانیه پکیچ TO-3P
دیود عمومی 1000 ولت 1 آمپر -1A,1000V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier MIC