N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
N-Channel QFET® MOSFET
900V, 6.3 A, 1.9 Ω
ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
دریافت دیتا شیت
پکیج عایق پلاستیکی
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220F |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
6.3A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
6.3A |
|
ID(HIGH TEMP) |
3.8A |
|
IDM-IDP |
25A |
|
PD(TA=25°C) |
0.48 |
|
PD(TC=25°C) |
60W |
| RDS(on) |
1.6-1.9Ω |
|
td(ON) |
40-90ns |
|
tr |
110-230ns |
|
td(off) |
70-150ns |
|
Trr |
530ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
9.90x15.90x4.50mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
FAIRCHILD |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | فیرچایلد با دیود هرزگرد |
شرح:
Description
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
1 www.fairchildsemi.com
FQP8N90C / FQPF8N90C — N-Channel QFET® MOSFET
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, active power
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts
ویژگی ها:
Features
• 6.3 A, 900 V, RDS(on) = 1.9 Ω (Max.) @ VGS = 10 V,
ID = 3.15 A
• Low Gate Charge (Typ. 35 nC)
• Low Crss (Typ. 12 pF)
• 100% Avalanche Tested
ترایاک 41 آمپر 600 ولت ،تریاک 41A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-3P
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری470 اهم 5 وات 470R5W 470R
آیسی ضریب اصلاح توان در منابع تغذیه و پاور با بازدهی 99 درصد Bipolar IC For Power Factor Correction
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 150 ولت 104 آمپر RDS(on) = 11mΩ
