HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB
ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 15mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
18A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
18A |
|
ID(HIGH TEMP) |
13A |
|
IDM-IDP |
72A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.15Ω |
|
td(ON) |
10ns |
|
tr |
19ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
167-251ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت16.5 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
رله 10 آمپر 5 ولت -رله 5 ولت میلون کیفیت عالی سونگل 5 پین 10A 240VAC/30VDC کیفیت و طول عمر بالا
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 5 پین(نری) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
ساخت چین-ستون قسمت بلند هیدسینک- سوراخ کاری شده و اماده نصب بر روی دستگاه جوش 8 ای جی بی تی
