TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
20A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
80A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
|
td(ON) |
70ns |
|
tr |
30ns |
|
td(off) |
290ns |
|
Trr |
540ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 17 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
SMPS MOSFET 20A, 500V, 0.240 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 20 آمپر فیلیپین RDS(on) = 240mΩ
ماژول دیود (اند مشترک ایزوله) فست 600 ولت 100 آمپر - DAWIN DAC2F100P6S, Dual Diode Module, Common Anode, 600V 100A ** ایزوله : پایه مشترک به بدنه کف متصل نیست**
دیودالترا فست 1000 ولت 1 آمپر / 1A,1000V ,75 ns ,DO-15 ,Glass Passivated Ultrafast Plastic Rectifier trr = 75ns
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 36 آمپر RDS(on) =44mΩ