TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-3P |
ولتاژکاری |
500V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
500V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
2-4V |
ID(25°C) |
20A |
ID(HIGH TEMP) |
- |
IDM-IDP |
80A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
150W |
RDS(on) |
0.21-0.27Ω |
td(ON) |
70ns |
tr |
30ns |
td(off) |
290ns |
Trr |
540ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
TOSHIBA |
کشور سازنده |
ژاپن |
کیفیت |
اریجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0. 21Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 17 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
مقاومت کربنی220 کیلواهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
میکرو سوییچ با تیغه های نقره ۵ آمپری ۲۵۰ ولتی 5A,250VAC MICROSWITCH
رله16 آمپر 12 ولت کتابی یا شیشه ای امرن سری G2R - سوکتی 8 پایه - 2 کنتاکته