TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)
500V,20A MOSFET,TO-3P
Switching Regulator Applications
ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
500 ولت 20 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
500V |
|
جریان کاری |
20A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
500V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
3-5V |
|
ID(25°C) |
24A |
|
ID(HIGH TEMP) |
15.2A |
|
IDM-IDP |
96A |
|
PD(TA=25°C) |
2.22W |
|
PD(TC=25°C) |
271W |
| RDS(on) |
0.16-0.19Ω |
|
td(ON) |
80-170ns |
|
tr |
250-500ns |
|
td(off) |
200-400ns |
|
Trr |
400ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.80x21x5mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
SMPS MOSFET,HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL, 200V, 94A, TO-247 ماسفت قدرت 200 ولت 94 آمپر IR اریجینال مکزیک RDS(on) = 0.023Ω
ماژول آی جی بی تی 1200 ولت 150 آمپر دوبل
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری470 اهم 10 وات 470R10W 470R
ماژول دیود فست کاتد مشترک 400 ولت 200 آمپر/Rectifiers 400V 200A Ultrafast POWERTAP2 برند nippa
